智慧型手機之所以能夠越來越方便使用，充電技術功不可沒。Qualcomm 的 Quick Charge 3.0 快速充電技術可提升 75% 的充電速度，充滿50%的電量只要花20分鐘，但這還不是極致，近日高通又發表最新 Quick Charge 4技術，以「充電5分鐘，使用5小時」作為標語，從0%→50%的充電時間縮短到15分鐘，大幅提升充電效率，透過電流與電壓的管控更有效抑制充電池溫度升高的幅度。
Quick Charge 4 技術將會搭載於 Qualcomm 下一代 Snapdragon 835 旗艦處理器，相較於前一代，Quick Charge 4 充電速度提升 20%，充電效率提升 30% 而且充電時產生的溫度更低5度，實際充電效果從0%→50%的充電時間只要15分鐘。
根據市場研究公司 Sino-MR 調查，手機是否搭載快速充電技術影響60%消費者的購買意願，高通自家的研究也證實了這個數據，進一步發現 25% 的消費者認為它們花在充電的時間太長，Quick Charge 技術就可完全解決這些問題。
Quick Charge 4 比過去提升以下幾種技術：
- 相容 USB Type-C 和 USB PD(Power Delivery)
- 充電保護技術延長電池壽命
- 更先進的 INOV 演算技術
- 第三代 Dual Charge 技術
透過更先進的智慧電流電壓控技術提供更好的充電效率，同時兼顧溫發熱溫度與保護內部電路與電池安全。
除此之外，因應 Quick Charge 4，Qualcomm 還推出 SMB1380 與 SMB1381 兩款新的電源管理IC。Quick Charge 4 預計 2017 上半年上市，SMB1380/1 預計今年底推出。
訊息來源：Qualcomm
